?在鋰電池維護(hù)板畸形的情況下，Vdd為高電平，Vss，VM為低電平，D　　O、CO為高電平，當(dāng)Vdd，Vss，VM一項(xiàng)參數(shù)變換時(shí)，DO或CO真?zhèn)€電平將產(chǎn)生變更。?1、畸形狀況?在畸形狀況下電路中N1的 ;CO ;與 ;DO ;腳都輸出高電壓，兩個(gè)MOSFET都處于導(dǎo)通狀況，電池可能自由地進(jìn)行充電跟放電，因?yàn)镸OSFET的導(dǎo)通阻抗很小，通常小于30毫歐，因此其導(dǎo)通電阻對(duì)電路的機(jī)能影響很小。此狀況下維護(hù)電路的消耗電流為μA級(jí)，通常小于7μA。?2、過充電維護(hù)?鋰離子電池請(qǐng)求的充電方法為恒流/恒壓，在充電初期，為恒流充電，隨著充電進(jìn)程，電壓會(huì)回升到4.2V(依據(jù)正資料不同，有的電池請(qǐng)求恒壓值為4.1V)，轉(zhuǎn)為恒壓充電，直至電流越來越小。電池在被充電進(jìn)程中，假如充電器電路失去把持，會(huì)使電池電壓超過4.2V后連續(xù)恒流充電，此時(shí)電池電壓仍會(huì)連續(xù)回升，當(dāng)電池電壓被充電至超過4.3V時(shí)，電池的化學(xué)副反應(yīng)將加劇，會(huì)導(dǎo)致電池破壞或呈現(xiàn)保險(xiǎn)問題。在帶有維護(hù)電路的電池中，當(dāng)把持IC檢測(cè)到電池電壓達(dá)到4.28V(該值由把持IC決定，不同的IC有不同的值)時(shí)，其 ;CO ;腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷?，使V2由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了充電回路，使充電器無奈再對(duì)電池進(jìn)行充電，起到過充電維護(hù)作用。而此時(shí)因?yàn)閂2自帶的體二管VD2的存在，電池可能通過該二管對(duì)外部負(fù)載進(jìn)行放電。在把持IC檢測(cè)到電池電壓超過4.28V至發(fā)出關(guān)斷V2信號(hào)之間，還有一段延時(shí)時(shí)光，該延時(shí)時(shí)光的是非由C3決定，通常設(shè)為1秒左右，以避免因煩擾而造成誤判斷。?3、過放電維護(hù)?電池在對(duì)外部負(fù)載放電進(jìn)程中，其電壓會(huì)隨著放電進(jìn)程逐步降落，當(dāng)電池電壓降至2.5V時(shí)，其容量已被完全放光，此時(shí)假如讓電池連續(xù)對(duì)負(fù)載放電，將造成電池的永恒性破壞。在電池放電進(jìn)程中，當(dāng)把持IC檢測(cè)到電池電壓低于2.3V(該值由把持IC決定，不同的IC有不同的值)時(shí)，其 ;DO ;腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷?，使V1由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了放電回路，使電池?zé)o奈再對(duì)負(fù)載進(jìn)行放電，起到過放電維護(hù)作用。而此時(shí)因?yàn)閂1自帶的體二管VD1的存在，充電器可能通過該二管對(duì)電池進(jìn)行充電。因?yàn)樵谶^放電維護(hù)狀況下電池電壓不能再降落，因此請(qǐng)求維護(hù)電路的消耗電流小，此時(shí)把持IC會(huì)進(jìn)入低功耗狀況，全部維護(hù)電路耗電會(huì)小于0.1μA。在把持IC檢測(cè)到電池電壓低于2.3V至發(fā)出關(guān)斷V1信號(hào)之間，也有一段延時(shí)時(shí)光，該延時(shí)時(shí)光的是非由C3決定，通常設(shè)為100毫秒左右，以避免因煩擾而造成誤判斷.?4、短路維護(hù)?電池在對(duì)負(fù)載放電進(jìn)程中，若回路電流大到使U>0.9V(該值由把持IC決定，不同的IC有不同的值)時(shí)，把持IC則判斷為負(fù)載短路，其 ;DO ;腳將敏捷由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷海筕1由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷放電回路，起到短路維護(hù)作用。短路維護(hù)的延時(shí)時(shí)光短，通常小于7微秒。其工作原理與過電流維護(hù)類似，只是判斷方法不同，維護(hù)延時(shí)時(shí)光也不一樣。除了把持IC外，電路中還有一個(gè)重要元件，就是MOSFET，它在電路中起著開關(guān)的作用，因?yàn)樗苯哟釉陔姵嘏c外部負(fù)載之間，因此它的導(dǎo)通阻抗對(duì)電池的機(jī)能有影響，入選用的MOSFET較好時(shí)，其導(dǎo)通阻抗很小，電池包的內(nèi)阻就小，帶載才干也強(qiáng)，在放電時(shí)其消耗的電能也少。?5、過電流維護(hù)?因?yàn)殇囯x子電池的化學(xué)特點(diǎn)，電池生產(chǎn)廠家劃定了其放電電流不能超過2C(C=電池容量/小時(shí))，當(dāng)電池超過2C電流放電時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致電池的永恒性破壞或呈現(xiàn)保險(xiǎn)問題。電池在對(duì)負(fù)載畸形放電進(jìn)程中，放電電流在經(jīng)過串聯(lián)的2個(gè)MOSFET時(shí)，因?yàn)镸OSFET的導(dǎo)通阻抗，會(huì)在其兩端產(chǎn)生一個(gè)電壓，該電壓值U=IRDS2，RDS為單個(gè)MOSFET導(dǎo)通阻抗，把持IC上的 ;V- ;腳對(duì)該電壓值進(jìn)行檢測(cè)，若負(fù)載因某種起因?qū)е庐悩?，使回路電流增大，?dāng)回路電流大到使U>0.1V(該值由把持IC決定，不同的IC有不同的值)時(shí)，其 ;DO ;腳將由高電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱汶妷?，使V1由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷，從而切斷了放電回路，使回路中電流為零，起到過電流維護(hù)作用。在把持IC檢測(cè)到過電流產(chǎn)生至發(fā)出關(guān)斷V1信號(hào)之間，也有一段延時(shí)時(shí)光，該延時(shí)時(shí)光的是非由C3決定，通常為13毫秒左右，以避免因煩擾而造成誤判斷。在上述把持進(jìn)程中可知，其過電流檢測(cè)值大小不僅取決于把持IC的把持值，還取決于MOSFET的導(dǎo)通阻抗，當(dāng)MOSFET導(dǎo)通阻抗越大時(shí)，對(duì)同樣的把持IC，其過電流維護(hù)值越小。

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